Everspin MR0A08BMA35非易失存储芯片

发布日期：2025-11-11 17:17:00

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产品说明：

MR0A08BMA35是Everspin推出的一款高性能磁性随机存储器（MRAM）芯片，具备SRAM兼容的接口与真正的非易失特性。该芯片采用3.3V供电，读/写周期快至35ns，可实现无延迟数据存取，适用于对速度和数据可靠性要求极高的工业控制、网络设备、数据缓存及嵌入式系统。

其核心特性包括：
•非易发性与高可靠性：芯片基于磁阻技术，断电后数据不丢失，无需电池即可实现数据保护，数据保存时间超过20年；
•无限读写耐久性：不同于Flash或EEPROM，MRAM在频繁写入场景下无磨损问题，适合实时日志存储与频繁更新的配置数据；
•宽温度适应能力：支持商业与工业级温度范围，满足多种严苛环境的使用需求；

•标准封装与环保合规：提供符合RoHS标准的TSOPⅡ与BGA封装选项，所有产品均通过MSL-3湿度敏感等级认证，便于贴装与长期储存。

作为Everspin一级代理商，我们长期备有MR0A08BMA35等全系列MRAM芯片库存，可提供原装现货、技术支持和完整供应链服务，欢迎询样与订购。

详细参数：

其核心特性包括：
•非易发性与高可靠性：芯片基于磁阻技术，断电后数据不丢失，无需电池即可实现数据保护，数据保存时间超过20年；
•无限读写耐久性：不同于Flash或EEPROM，MRAM在频繁写入场景下无磨损问题，适合实时日志存储与频繁更新的配置数据；
•宽温度适应能力：支持商业与工业级温度范围，满足多种严苛环境的使用需求；

•标准封装与环保合规：提供符合RoHS标准的TSOPⅡ与BGA封装选项，所有产品均通过MSL-3湿度敏感等级认证，便于贴装与长期储存。

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