MRAM磁性随机存取存储器MR2A08ACYS35缓存芯片

发布日期：2025-11-11 17:13:00

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产品说明：

MR2A08ACYS35是一款基于磁性随机存取存储器（MRAM）技术的高性能非易失性缓存芯片，具备35ns高速读/写周期，在保持与标准SRAM引脚和时序兼容的同时，实现了无需电池支持的数据断电保护。该芯片具有无限的读写耐久性，数据保存期限超过20年，可同时替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM等多种存储器，显著简化了电路设计并提升了系统集成度。MRAM磁性随机存取存储器工作电压为3.3V，支持断电瞬时数据保护，提供符合RoHS标准的TSOPⅡ与BGA封装选项，并具备商用、工业及汽车级温度适应性，已通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于要求高可靠、高耐久及宽温运行的嵌入式存储场景。

详细参数：

MRAM磁性随机存取存储器工作电压为3.3V，支持断电瞬时数据保护，提供符合RoHS标准的TSOPⅡ与BGA封装选项，并具备商用、工业及汽车级温度适应性，已通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于要求高可靠、高耐久及宽温运行的嵌入式存储场景。

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